(HgS/CdS)nHgS线状超晶格电子能带结构

来源 :重庆大学学报(自然科学版) | 被引量 : 0次 | 上传用户:yaozi303
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建立了由两种不同材料构成的沿轴向的线状超晶格体系的薛定谔方程,并对(HgS/CdS)nHgS线状超晶格作具体计算,探讨了势阱和势垒宽度对电子能谱的影响。结果表明:沿轴向方向的线状超晶格系统的电子能谱存在能带结构,低能带的宽度要比高能带的宽度小;势阱宽度增大和势垒宽度减小会使带底的位置降低而带宽增大;圆柱半径在40 左右时,第一禁带宽度最大。 The Schrödinger equation of linear superlattice system composed of two different materials was established and the linear superlattices of (HgS / CdS) nHgS were calculated. The effects of potential well and barrier width on the electron The effect of energy spectrum. The results show that there exists band structure in the electron spectrum of the linear superlattice system along the axial direction, and the width of the low energy band is smaller than the width of the high energy band. The increase of the potential well width and the decrease of the barrier width make the band- The position is reduced and the bandwidth is increased; when the radius of the cylinder is about 40, the first bandgap has the largest width.
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