【摘 要】
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本文研制了一款10~18GHz低噪声放大器芯片,该放大器采用90nm GaAs工艺。放大器采用三级共用电流单电源拓扑,第一级采用源电感匹配,在确保输入端口驻波比的同时使放大器噪声系
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本文研制了一款10~18GHz低噪声放大器芯片,该放大器采用90nm GaAs工艺。放大器采用三级共用电流单电源拓扑,第一级采用源电感匹配,在确保输入端口驻波比的同时使放大器噪声系数最小;第三级采用电阻负反馈拓扑,在保证增益平坦度、输出端口驻波比与输出功率的前提下,尽量降低LNA的噪声系数。在片测试表明,在+5V漏电压工作环境下,放大器静态电流为25mA,增益为24.5dB,增益平坦度为±1dB,噪声系数为1.1dB,1dB增益压缩点输出功率大于9dBm,包含射频GSG与直流偏置压点的芯片尺寸为1.4×0.8mm~2。
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