P型杂质Ga在SiO2—Si内界面分凝规律研究

来源 :科学技术与工程 | 被引量 : 0次 | 上传用户：penguin669

【摘要】

：

采用开管方式和SiO2/Si系统,实现了P型杂质Ga在硅中的可控制掺杂.借助二次离子质谱(SIMS)和扩展电阻(SRP)分析方法,对已掺Ga的杂质硅,在二次氧化过程中产生的分凝效应进行了

【作者】

：

裴素华修显武孙海波周忠平张晓华

【机构】

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山东师范大学半导体研究所

【出处】

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科学技术与工程

【发表日期】

：

2003年1期

【关键词】

：

P型杂质 GA SiO2-Si内界面分凝效应钙掺杂半导体器件 Ga SiQ_2-Si interface segregation effect

【基金项目】

：

国家自然科学基金，山东省自然科学基金

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采用开管方式和SiO2/Si系统,实现了P型杂质Ga在硅中的可控制掺杂.借助二次离子质谱(SIMS)和扩展电阻(SRP)分析方法,对已掺Ga的杂质硅,在二次氧化过程中产生的分凝效应进行了系统研究,首次得出Ga分凝的规律性,导出了Ga在SiO2-Si内界面Si一侧最低浓度值随时间变化的表达式.为全面理解Ga的扩散特性和建立开管扩Ga模型奠定了基础.

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