【摘 要】
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采用射频等离子体辅助分子束外延（RF plasma-assistedMBE）系统生长非故意掺杂GaN和P型GaN，并且通过室温和低温光致发光（PL）谱测试研究了材料的发光特性及与杂质态的关系，对于GaN外
【机 构】
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中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室
【基金项目】
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中法国际合作项目CNRS/ASC2005（18152）,国家“863”计划（2002AA305304）,上海市自然科学基金（05ZR14139）,国际合作项目（055207043）资助项目
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采用射频等离子体辅助分子束外延（RF plasma-assistedMBE）系统生长非故意掺杂GaN和P型GaN，并且通过室温和低温光致发光（PL）谱测试研究了材料的发光特性及与杂质态的关系，对于GaN外延层出现的黄带发光进行分析。结果表明，富Ga条件下生长的GaN材料特性要优于富N生长的材料；非故意掺杂的富Ga样品中出现的黄带发光（YL）与GaN中生成能最低的氮空位（Vs）缺陷有关；不同的Mg掺杂浓度对样品的PL特性有较大的影响；结合Hall效应测量结果，认为在Mg重掺杂的样品中出现的黄带发光，与GaN
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