【摘 要】
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前言本文介绍一种新型元件——隧道二极管。它有一段电压控制的负导区,因而可利用它组成放大器、多谐振盪器等。工作频率很高,预计可超过10000兆赫,而消耗的功率却很小。据
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前言本文介绍一种新型元件——隧道二极管。它有一段电压控制的负导区,因而可利用它组成放大器、多谐振盪器等。工作频率很高,预计可超过10000兆赫,而消耗的功率却很小。据发明者江崎的解释,由于当以高度掺杂的P型晶体和N型晶体形成P-N结时,产生一种所谓“隧道”作用,使得电子能够以光的速度通过P-N结,因此这种二极管也就被命
Preface This article describes a new type of element - a tunnel diode. It has a voltage-controlled negative conduction region, so it can be used to form an amplifier, multivibrator and so on. Operating frequency is high, is expected to exceed 10,000 MHz, while the power consumption is very small. According to Ezaki, the inventor, since the so-called “tunneling” effect occurs when a PN junction is formed with highly doped P-type and N-type crystals, electrons can pass through the PN junction at the speed of light, and therefore, this diode Also be ordered
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