钝化低温法生长多层InGaN量子点的结构和光学特性

来源 :发光学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：lsd

【摘要】

：

采用一种新方法生长多层InGaN/GaN量子点,研究所生长样品的结构和光学特性.该方法采用了低温生长和钝化工艺,所以称之为钝化低温法.第一层InGaN量子点的尺寸平均宽度40nm,高

【作者】

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陈振韩培德陆大成刘祥林王晓晖李昱峰袁海荣陆沅

【机构】

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中国科学院半导体研究所,中国科学院半导体研究所,清华大学

【出处】

：

发光学报

【发表日期】

：

2003年2期

【关键词】

：

INGAN 外延生长多层薄膜铟镓氮三元化合物半导体量子点钝化低温法零维量子限制效应 InGaN quantum dots optical prope

【基金项目】

：

国家自然科学基金，国家重点基础研究发展计划(973计划)

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采用一种新方法生长多层InGaN/GaN量子点,研究所生长样品的结构和光学特性.该方法采用了低温生长和钝化工艺,所以称之为钝化低温法.第一层InGaN量子点的尺寸平均宽度40nm,高度15nm,量子点密度为6.3×1010/cm2.随着层数的增加,量子点的尺寸也逐渐增大.在样品的PL谱测试中,观察到在In(Ga)As材料系中普遍观察到的量子点发光的温度特性--超长红移现象.它们的光学特性表明:采用钝化低温法生长的纳米结构中存在零维量子限制效应.

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