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铟镓氮三元化合物半导体相关论文

钝化低温法生长多层InGaN量子点的结构和光学特性

采用一种新方法生长多层InGaN/GaN量子点,研究所生长样品的结构和光学特性.该方法采用了低温生长和钝化工艺,所以称之为钝化低温法......

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INGAN 外延生长多层薄膜铟镓氮三元化合物半导体量子点钝化低温法零维量子限制效应 InGaN quantum dots optical prope

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