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利用磁控溅射技术溅射硅靶，通过调节溅射气氛在硅衬底上生长了SiO／SiO2超晶格，热退火处理后超晶格中的SiO发生相分离得到硅纳米晶。通过比较不同退火方式对于硅纳米晶的形成的影响发现，管式炉退火处理的样品给出非常强的室温光致发光，其发光峰的峰位随着硅纳米晶尺寸的增大而红移，且管式炉退火比快速热退火更有利于硅纳米晶的形成。