热退火相关论文
花岗岩是大陆的重要组成部分,与矿产资源的关系也十分密切,并且到目前为止,发现的花岗岩只存在于地球上,是地球区别于其它行星的岩......
用深能级瞬态谱（DLTS）研究了分子束外延生长的高纯GaAs薄膜中的深能级.带金电极的高纯GaAs薄膜经不同温度的热退火,其DLTS峰谱的位置......
碘化铅 （Pb I2）是两步法制备钙钛矿薄膜最常使用的金属卤化物前驱体,精确控制 Pb I2在钙钛矿薄膜中的含量和空间分布以及优化Pb I2薄......
β-FeSi2是一种新型的半导体材料,其带隙宽度为0.81-0.87 eV,对应的发光波段为1.5μm。由于β-FeSi2制备工艺与Si基工艺具有良好的......
研究了不同退火温度下磷酸二氢钾(KDP)晶体的透过光谱和损伤阈值的变化。发现热退火对晶体的透过光谱没有影响，退火温度分别为140 ......
The effect of annealing condition on sputtered indium tin oxide (ITO) films on quartz with the thickness of 200 nm is ch......
通过高温熔融法制备了高密度聚乙烯/超高分子量聚乙烯(HDPE/UHMWPE)共混物,采用脆断面SEM和振荡剪切流变测试研究了退火处理前后共......
以GaAs为代表的Ⅲ-Ⅴ族化合物太阳电池是目前空间中各类航天器的主要能量来源,大量研究表明,带电粒子辐射是导致电池性能衰退,影响......
能源问题成为近年来世界面临的重大问题,特别是在石油、煤等不可再生资源越来越紧缺的情况下,实现清洁的可再生能源的研发与使用,......
许多研究表明基底的性质对薄膜的生长机理,微观结构和表面形貌有着重要影响。在固体基底表面沉积的金属薄膜的表面形貌、微观结构......
目前,单结非富勒烯聚合物太阳能电池的光电转化效率不断提升,已经突破15%。活性层的微观结构是决定器件性能的关键因素之一。对活......
近些年来随着电子信息产业的迅速发展,氧化物半导体由于其高迁移率(-1-100 cm2/Vs),可低温甚至室温制备,可见光透明度高,可大面积......
局域表面等离子体共振（localized surface plasmon resonance,LSPR）是指当入射光频率与金属自由电子振荡频率相匹配时产生的集体电子......
利用HF蚀刻和热处理,结合原子力显微(AFM)分析,对传统抛光和磁流变抛光的表面结构进行了表征。为了分析热处理凸起的形成源,抛光表......
随着人类对能源的需求量不断增加,传统的矿物能源如煤、石油在地球上的存储量已不容乐观。开发环保、可再生型能源替代传统的矿物......
DKDP晶体具有优良的电光和非线性光学性能，广泛地应用于激光变频、电光调制、声光调制、电光调Q激光器、参量振荡器、压电换能器和......
随着纳米科学与技术的发展，金属／硅复合纳米体系引起了人们的很大关注，并有望在未来硅基纳米器件的制作中扮演重要的角色。研究表明，金......
有机光伏电池因为具有柔性、可大面积制备、低成本等优势受到广泛的关注。但是要实现这项技术真正的应用，还需要进一步提高有机光伏......
硅(Si)基电子学和集成电路已成为当代发展电子计算机、通信、电子控制和信息处理等高科技领域的强大支柱,因此,硅基半导体电子产业......
聚合物太阳能电池中活性层形貌是制约电池效率的重要因素,调控活性层形貌的方式有多种,例如选择合适的给受体比例和溶剂体系、添加......
六角纤锌矿结构的氧化锌是一种重要的宽带隙Ⅱ-Ⅵ族半导体材料，室温下带隙为3.37eV。氧化锌在室温条件下具有较高的激子束缚能(60me......
学位
该文从挂篮荷载计算、施工流程、支座及临时固结施工、挂篮安装及试验、合拢段施工、模板制作安装、钢筋安装、混凝土的浇筑及养生......
该文从挂篮荷载计算、施工流程、支座及临时固结施工、挂篮安装及试验、合拢段施工、模板制作安装、钢筋安装、混凝土的浇筑及养生......
为了研究慢速热退火处理对分子束外延生长(MBE)的GaAs0.91 Sb0.09材料晶体质量和发光特性的影响,分别利用XRD及变温光致发光谱对晶......
研究了磷酸二氢钾(KDP)晶体热退火前后光学均匀性的变化,发现适当温度下退火可以降低KDP晶体的内应力,提高晶体的消光比,从而提......
对InN薄膜在氨气氛下的高温退火行为进行了研究.利用XRD,SEM和XPS对样品进行了分析.结果表明,InN薄膜的结晶质量和表面形貌并不随......
用旋涂法制备了双吡咯烷酮为核的联噻吩衍生物(Diketopyrrolopyrrole-containing Oligothiophene,SMDPPEH)薄膜,并采用紫外-吸收光......
研究了掺杂浓度及热退火对磷光材料双(4,6-二氟苯基吡啶-N,C2’)吡啶甲酰合铱(Flrpic)发光性能的影响.不同掺杂浓度的薄膜及有机电......
研究了不同退火温度下磷酸二氢钾(KDP)晶体的透过光谱和损伤阈值的变化.发现热退火对晶体的透过光谱没有影响,退火温度分别为140℃......
5.28×1016cm-2 85MeV 19 F辐照的α-Al2O3中,在其热退火过程中采用正电子湮没方法首次观察到了空洞. 450℃退火开始产生空洞,550......
采用金属有机物化学气相淀积方法在Al2O3衬底上生长不同浓度Mg掺杂的AlxGa1-xN合金薄膜,并在750℃、N2气氛下对Mg进行热退火激活。......
采用正电子湮没寿命技术研究了注量为5.28×1016cm-2的85MeV19F离子辐照后α-Al2O3热退火产生的空洞。实验结果表明：辐照后的α-Al2......
改变CHF3 CH4源气体流量比 ,使用微波电子回旋共振化学气相沉积方法 (ECR CVD)制备了具有不同C—F键结构的a C :F :H薄膜 ,着重研......
本文研究了热退火对 KDP晶体中散射颗粒的影响 ,结果表明 ,对于晶体中气相、液体和固体散射颗粒 ,退火的效果不同 ;对 3种散射颗粒......
MgZnO合金具有可覆盖日盲紫外波段的禁带宽度和晶格匹配的单晶衬底,是理想的日盲紫外探测材料.由于MgO和ZnO分属立方相和六角相,分......
在等离子体增强化学气相淀积 (PECVD)系统中 ,采用a Si∶H层淀积与原位等离子体氧化相结合的逐层生长的方法成功制备出a Si∶H SiO......
为研究氧化依（ＩｒＯ_２）对ＰＺＴ铁电薄膜疲劳性能的影响，利用直流（ＤＣ）磁控反应溅射（ｓｐｕｔｔｅｒｉｎｇ）工艺成功地在ＳｉＯ_２／Ｓｉ（１００）衬底上制得了高度取向的ＩｒＯ_２薄膜．并在其上制成ＰＺＴ铁电薄膜．讨......
对高温热退火前后分子束外延(MBE)生长的多层P-on-N结构HgCdTe外延材料的界面变化进行研究。研究发现,高温热退火将引起HgCdTe外延......
系统研究了甲胺铅碘（MAPbI3）前驱体薄膜在室温大气中放置过程的物质结构变化过程，发现甲胺铅碘前驱体进一步生成了更多的MAPbI3钙钛矿......
报道了氢化非晶硅薄膜在600～620℃温度下快速退火10s可以形成纳米晶硅,其喇曼散射表明,在所形成的纳米晶硅在薄膜中分布是随机的,其......
采用真空蒸发技术在蓝宝石衬底上制备了氧化镓透明半导体薄膜;研究了热退火对氧化镓薄膜结构、电学和光学等特性的影响。在退火前,......
利用原子力显微镜(AFM)和椭偏仪对溅射制备的硅基Zn0薄膜的热退火表面形貌与椭偏特性进行了研究.结果发现:未退火或低温退火(≤850......
报道了氢化非晶硅薄膜在600～620℃温度下快速退火10 s可以形成纳米晶硅,其拉曼散射表明,所形成的纳米晶硅在薄膜中的分布是随机的,......
对系列In2O3：Sn（1TO）薄膜样品分别实施了不同剂量的Sn^＋，Ag^＋和Mo^＋离子注入并将它们在250℃下进行了热处理。利用霍耳测量研究了原始样品......
在覆盖SiO2的n-Si（100）衬底上,采用等离子体增强化学沉积法（PECVD）制备Si1-xGex薄膜材料。薄膜Ge含量x及元素的深度分布由俄歇电子谱（AE......
