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要氢化物气相外延（HVPE）是制备氮化镓（GaN）衬底最有希望的方法．本文介绍了氮化镓材料的电学、光学性质及重要用途，总结了GaN体单晶及薄膜材料制备方法，描述了氢化物气相外延技术原理，分析了HVPE制备自支撑（Free—Standing）GaN衬底方法，综述了HVPE技术国内外研究进展，指出今后研究方向．