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本文采用旋涂和溶胶－凝胶两种手段制备XW11O39^n-/SiO2 (X=Si,Ge或P）复合膜。首先通过在XW11O39^n-存在下四乙氧基硅（TEOS）水解制备XW11O39^n-／SiO2的溶胶，而XW11O39^n-／SiO2的形成是由缺位XW11O39^n-阴离子空位上亲核的表面氧原子与氧化硅网络中亲电的表面硅羟基（≡Si-OH)间的共价键作用，其结果是导致XW11O39^n-表面趋向饱和；然后，通过旋涂法制备了XW11O39^n-／SiO2复合膜，本文提出了该复合膜的结构模型，并通过紫外－可见