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基于碳膜因固有的负电阻温度特性，在从工艺角度解决高阻碳膜电阻膜层ＴＣＲ偏高问题的同时，通过对物质的电导率形成机理的分析，提出了以硼置换碳的改性方案，为彻义实现高阻材料国产化提供了理论和实践持依据。
高阻碳膜电阻膜层TCR的改进
【摘 要】
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基于碳膜因固有的负电阻温度特性，在从工艺角度解决高阻碳膜电阻膜层ＴＣＲ偏高问题的同时，通过对物质的电导率形成机理的分析，提出了以硼置换碳的改性方案，为彻义实现高阻材料国产化提
【机 构】
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湖南益阳高新技术研究中心
【出 处】
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电子元件与材料
【发表日期】
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1995年5期
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