电阻率温度系数相关论文
Carpenter HYMU“80”是一种非取向的80％镍-铁-钼合金,它具有极高的起始磁导率和最大磁导率,并且在低磁场强度时具有最小的磁滞损......
本文利用类Kondo效应及推广的Ziman理论对非晶态FeB、FeBSiC、FeCoBSi、FeCoBSiCP电阻率随温度的变化(4.2～800K)进行了讨论。在低温......
本文测量了由液态急冷技术制备的Zr_(100-x)Mx(M=Fe,Co,Ni,Cu和Pd),CU_(100-x)Ti_x和Pd_(83.5-x)Si_(16.5)M_x(M=Cu,Ag,Ni,Pt,Rh,R......
见了《金属制品》1988年第2期赵志明同志的“电接触炉电压公式的探讨及对传统公式的质疑”一文(以下简称“质疑”)和“编者按”后......
用X-射线衍射分析测量Zr_(100-X)M_X(M=Fe、Co、Ni、Cu和Pd),Cu_(100-X)Ti_X,Pd_(100-X)Si_X和Pd_(80-X)Si_(20)Cr_X等非晶态合金......
TiAlN薄膜是一种有可能作为喷墨打印头中传统的TaN或TaAl发热电阻的替代品。采用TiN和AlN作靶材,在400°C下用射频磁控溅射共沉积......
利用多层溅射技术制备了不同组分的MoSi_x薄膜,然后研究其平面电阻的退火行为,发现平面电阻随薄膜成分呈现不同的变化趋势;对典型......
从近自由电子模型出发，考虑到类金属原子外壳层ｓ、ｐ电子向过渡金属原子未满ｄ壳层空位的迁移，提出了一种估算高类金属含量ＴＭＭ非晶合金总有......
用电阻和 X 射线法研究了 Fe_3Al 成分附近4种合金的有序化过程和电阻率温度系数(TCR)随成分的变化规律。结果表明:1)随 Al 含量增......
近几年发展起来的湿敏半导瓷,虽然在各种技术性能方面都有了较大的改进,但是在我国这方面的理论研究工作却仍做得很少,因而使湿敏......
在比较低的砷压条件下生长的汽相外延GaAs高阻层中,发现了几种有兴趣的性质,比如:(ⅰ)大的正电阻率温度系数(PTCR),(ⅱ)大的光电导......
本文综述了电气系统的温度在线检测技术,介绍了该技术的现状,常用的温度传感器,并重点介绍在高、低压电气系统的温度在线检测中今......
本文以硅单晶的电阻率温度系数～电阻率非线性曲线为应用对象,用直线最小二乘法、牛顿插值法、规范化多项式、MATLAB 3次、4次及5次......
TiAlN薄膜是一种有可能作为喷墨打印头中传统的TaN或TaAl发热电阻的替代品.采用TiN和AlN作靶材,在400℃ 下用射频磁控溅射共沉积方......
本文以硅单晶的电阻率温度系数-电阻率非线性曲线为应用对象，用直线最小二乘法、牛顿插倡法、规范化多项式、MATLAB3次、4次及5次曲......
TiAlN薄膜是一种有可能作为喷墨打印头中传统的TaN或TaAl发热电阻的替代品。采用TiN和AlN作靶材,在400°C下用射频磁控溅射共......
为了准确地评估出IGBT模块的健康水平,及时发现并更换存在缺陷的IGBT模块,提高功率变流器的可靠性,提出了一种基于键合线压降的IGB......
介绍了磁性金属-绝缘体颗粒薄膜的结构特征与电阻率的关系,评述了作为磁传感器件、高密度记录介质和读出磁头潜在应用相关的磁阻效......
基于碳膜因固有的负电阻温度特性，在从工艺角度解决高阻碳膜电阻膜层ＴＣＲ偏高问题的同时，通过对物质的电导率形成机理的分析，提出了以硼置......
中压电力电缆半导电屏蔽层的附加损耗与体积电阻率相关。电缆工作温度上升,半导电屏蔽层电阻增大,则电缆tgδ变大,半导电界面热效......
为减少电阻率随温度的变化,采用了加入纳米填料的方法来降低交联聚乙烯绝缘料的电阻率温度系数,通过与传统纯聚乙烯绝缘料的性能对......
