【摘 要】
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介绍了用于宽带快速信息传输系统的半导体瞬态浪涌保护器件（ＳＳＰＤ）在小的器件面积和小的器件电容情况下，提高ＳＳＰＤ浪涌吸收能力的工艺方法。理论分析和实验结果都说明，关键是减少基区总宽度
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介绍了用于宽带快速信息传输系统的半导体瞬态浪涌保护器件（ＳＳＰＤ）在小的器件面积和小的器件电容情况下，提高ＳＳＰＤ浪涌吸收能力的工艺方法。理论分析和实验结果都说明，关键是减少基区总宽度，而在制备工艺中设法减少基区少子寿命的衰减也是有效措施之一。
This article introduces the process of semiconductor transient surge protection device (SSPD) used in wideband fast information transmission system to improve SSPD surge absorbability with small device area and small device capacitance. Theoretical analysis and experimental results show that the key is to reduce the total width of the base, and in the preparation process to try to reduce the decay of base minority child life is also one of the effective measures.
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