【摘 要】
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本文主要讨论ＺｎＣｄＴｅ－ＺｎＴｅ多量子阱激子线的均匀增宽和非均匀增宽效应。实验所有样品为常压ＭＯＣＶＤ系统在ＧａＡｓ（１００）衬底上生长的含３０个周期的ＺｎＣｄＴｅ－ＺｎＴｅ多量子阱材料。做光致发光实验时用配有ＲＣＡ－Ｃ３１０３４型光电倍增管的Ｓｐｅｘ１４０４型双光栅单
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本文主要讨论ＺｎＣｄＴｅ－ＺｎＴｅ多量子阱激子线的均匀增宽和非均匀增宽效应。实验所有样品为常压ＭＯＣＶＤ系统在ＧａＡｓ（１００）衬底上生长的含３０个周期的ＺｎＣｄＴｅ－ＺｎＴｅ多量子阱材料。做光致发光实验时用配有ＲＣＡ－Ｃ３１０３４型光电倍增管的Ｓｐｅｘ１４０４型双光栅单色仪及Ｂｏｘｃａｒ４４００型平均取样系统来检测。用Ｎ２激光器的３３７．１ｎｍ线作激发光源对Ｚｎ０．６７Ｃｄ０．３３Ｔｃ－ＺｎＴｅ多量子阱做光致发光实验，样品的近带边有两个发光谱峰分别位于５７４．４ｎｍ和５９８．６ｎｍ处。它们分别是激子跃迁
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ue＊M＃’＃dkB4＃＃8＃”专利申请号:00109“7公开号:1278062申请日:00.06.23公开日:00.12.27申请人地址:（100084川C京市海淀区清华园申请人:清华大学发明人:隋森芳文摘:本发明属于生物技
ue＊M＃’＃dkB4＃＃8＃”专利申请号:00109“7公开号:1278062申请日:00.06.23公开日:00.12.27申请人地址:（100084川C京市海淀区清华园申请人:清华大学发明人:隋森芳文摘:本发明属于生物技
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