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首先使用正交设计法对SiNx和SiO2膜的PECVD（等离子体增强化学气相沉积）特性进行了研究，分别得到了两种膜的最佳沉积条件。然后使用PECVD在P型多晶硅片发射极上沉积了SiO2-SiNx叠层钝化膜，并与SiNx单层钝化膜进行比较。通过测试硅片在退火前后少子寿命的变化，考察了两种钝化膜对太阳电池发射极的钝化效果，结果表明SiO2-SiNx叠层膜具有更好的钝化效果。利用反射率测试仪测试了两种膜的反射率，其反射率曲线基本相同。最后，测量了采用该叠层膜制作的太阳电池的量子效率和电性能，其短路电流和开路电压均