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利用X射线光电子能谱仪和X射线激发的俄歇电子谱CKLL(XAES)的一次微分析,研究了DLC膜,发现由rf等离子体沉积所制得的DLC膜具有好的热稳定性(在200～800℃退火温度下,真空加热1h后),以及DLC膜/Si、DLC膜/Ge界面处含有少量的Si-C、Ge-C键。
类金刚石膜的电子能谱（XAES,XPS）研究
【摘 要】
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利用X射线光电子能谱仪和X射线激发的俄歇电子谱CKLL(XAES)的一次微分析,研究了DLC膜,发现由rf等离子体沉积所制得的DLC膜具有好的热稳定性(在200～800℃退火温度下,真空加热1h
【机 构】
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华东工学院光电技术系南京210014
【出 处】
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真空科学与技术
【发表日期】
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1992年6期
【基金项目】
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江苏省科委的资助
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