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在今后的2年-3年内，NAND闪存的集成度仍将保持目前的发展速度（见图B．1）。具体来说，到2011年-2012年，通过采用2Xnrn的制造工艺与3位／单元4位／单元的多值技术，NAND闪存很有可能实现128Gb的容量。
20nm之后将采取三维层叠技术
【摘 要】
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在今后的2年-3年内，NAND闪存的集成度仍将保持目前的发展速度（见图B．1）。具体来说，到2011年-2012年，通过采用2Xnrn的制造工艺与3位／单元4位／单元的多值技术，NAND闪存很有可能实现128Gb
【出 处】
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电子设计应用
【发表日期】
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2009年6期
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