【摘 要】
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采用SiO2钝化膜方法对引入低温AlN插入层的高温MOCVD外延生长的未掺杂的非极性AlGaN外延薄膜制备了金属-半导体-金属（MSM）结构的紫外光电探测器。研究了磁控溅射SiO_2钝化膜对
【机 构】
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公安海警学院基础部,宁波科技信息研究院研究中心
【基金项目】
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浙江省教育厅科研项目（Y201737504）资助项目
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采用SiO2钝化膜方法对引入低温AlN插入层的高温MOCVD外延生长的未掺杂的非极性AlGaN外延薄膜制备了金属-半导体-金属（MSM）结构的紫外光电探测器。研究了磁控溅射SiO_2钝化膜对探测器光电性能的提升。暗电流测试表明,钝化处理使探测器的暗电流可以降低了2-3个数量级。在5 V偏压下,通过光谱响应测试发现,经过钝化处理的探测器在300nm处具有陡峭的截止边,具有很好的深紫外特性,光谱响应范围提高了3个数量级,抑制比高达105。
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