【摘 要】
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<正> 一、引言由于 GaAs FET 的基本器件结构和固有的良好线性特性,已经表明把有源元件和无源元件集成在同一晶片上,来实现在微波频段工作的小信号放大器是可能的和现实的。
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<正> 一、引言由于 GaAs FET 的基本器件结构和固有的良好线性特性,已经表明把有源元件和无源元件集成在同一晶片上,来实现在微波频段工作的小信号放大器是可能的和现实的。这种电路最初是用小栅宽的器件制造 C、X 和 Ku 波段单片宽带单级放大器而被证实的,最近,注意力已集中到实现主要用于功率放大器并集成较大栅宽的 FET GaAs 单片电路上。单级和两级单片放大器已工作在 X 波段,具有中等带宽,其输出功率超过1瓦,增益高达12dB。
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