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晶体管在耗散功率时，结温分布一般不均匀．在晶体管子管并联模型的基础上，经过实验和理论模拟计算及验证发现：结温分布不均匀时，高温区的电流密度大于低温区的电流密度；测试电流越小，高温区与低温区电流密度的比值越大，电流越集中在高温区，且集中区域的面积随着测试电流的减小而缩小，这种现象称为小电流过趋热效应．利用这一特性可以研究晶体管结温分布的不均匀性，计算结温分布的不均匀度，对半导体器件可靠性分析具有重要的意义．