PN结相关论文
随着半导体行业的发展,紫外光电探测器（UV PDs）在医疗、军工以及民用等领域有着广泛的应用,引起了科研工作者们的重点关注。Sn O2作......
随着电力电子器件的迅猛发展,从日常使用的家用电气、交通工具到航天航空,处处都体现着电力电子器件的身影,因此如何提高器件的击......
学位
在高压晶闸管器件的硅片参数设计时,制造过程中不同扩散工艺形成PN结的平坦性是重点考虑的因素之一。为了获得更优良的高压快速晶......
自石墨烯问世以来,二维材料家族迅速发展壮大。量子限域效应赋予了二维材料新颖的物理、化学性质,为二维材料在电学、光电、催化、......
范德华层状材料因具有带隙分布范围广、光吸收作用强、载流子迁移率高等优异的光电特性,在光电子器件领域受到了广泛关注。经过十......
近年来基于二维半导体过渡金属硫族化合物如MoS2的光电晶体管被广泛研究.虽然基于单层MoS2的光电探测器表现出较高的响应度,但是其......
目前,探测器的研究逐步进入到抗干扰能力更强的日盲紫外探测器时代,单斜结构的β-Ga2O3由于合适的带隙(Eg～4.9eV,对应波长为253 nm)......
采用Sol-Gel法、浸渍-提拉法制备了均匀掺杂(P-Sm)、交替掺杂(A-Sm )、层间掺杂(M-Sm)、底层掺杂(B-Sm)、两端掺杂(E-Sm)、表层掺......
环境污染和能源短缺是人类社会在21世纪面临的重大问题，氢能作为一种洁净的可再生能源而受到广泛关注，直接利用太阳能光解水是制氢的......
用示波器观测几种二极管对交流信号的响应图形。为了理解图形的含义,对响应信号做了Fourier变换,这样学生认识到非线性元件对输入......
结合实际仪器,分析了PN结正向电压降与温度关系的实验,研究了在不同升温速率和降温情况下PN结正向电压的温度系数,发现降温测量的......
目前,我国在新工科所涉及的芯片自主研发与制造方面还存在诸多短板.PN结是芯片设计与芯片制造的基本元件.为了促进半导体和芯片类......
飞秒激光对碲镉汞(HgCdTe)材料刻蚀形成PN结。文章进行了飞秒激光刻蚀试验,使用1 kHz飞秒激光在P型HgCdTe上刻蚀形成线刻蚀区域,并......
飞秒激光是一种有效的半导体微加工技术，但对于加工后半导体的电学性质研究较少。经激光诱导电流(LBIC)检测实验表明P型碲镉汞......
通过对不同支架的性能及不同导热方式选型以及对所制作白色LED进行寿命试验,分析了PN结温度对白色LED器件性能的影响,并通过对比试......
在不同温度下,测量了PN结的正向伏安特性,采用非线性回归方法计算了PN结的反向饱和电流值,实验发现高频硅二极管的反向饱和电流与......
利用半导体器件二维模拟软件数值模拟计算了不同上升时间的快前沿电磁脉冲对PN结的毁坏过程,对计算结果作了分析,得到了一维器件模......
KOH碱性蚀液的PN结自致蚀停电化学腐蚀技术是制备硅三维微结构的基本方法之一。本文详细研究了它在90℃的PN结自致蚀停的基本特性，......
对晶体三极管输入特性进行分析,利用电流表、电压表测量,证实当V_(CE)=0V时,集电极比发射极先导通;当V_(CE)>1V时,晶体管处于放大......
从研究半导体PN结器件烧毁物理机理出发，建立了一种高效通用的半导体PN结器件计算机分析模型，并编制了一维德态程序，瞬态程序及二维模......
本文论述了二极管PN结成形用点触金丝的质量要求及研制过程。同时,还针对用户在该材料使用过程中,须进行人工缠绕、清洗、退火等复......
为建立载流子辐射检测Si基太阳能电池的理论模型，基于太阳能电池非线性耦合方程对调制激光激励下Si太阳能电池过剩少数载流子的空间......
采用液相外延(LPE)生长的中波Hg Cd Te薄膜,基于B离子注入n-on-p平面结技术,制备了LBIC测试结构和I-V测试芯片并进行了相应的测试......
用多载流子模型分析了D型石英光纤的热极化过程及耗尽层的形成,分析了氢离子注入及钠离子耗尽层的形成。并把正负电荷的交界处类比......
研究了大功率LED芯片的伏安特性。基于LED芯片的特殊性,从经典的PN结伏安特性出发,进行理论推导并通过选择不同的基函数,构建出了......
半导体是现代信息化工业的基础,可以利用半导体材料制作电子器件和集成电路,这些都是信息技术的基础,其材料的研发和制作大大的促......
本文从单晶制绒酸碱清洗出发,结合扩散制结工艺,分析阐述制绒清洗效果对电池片性能与外观质量的影响。结果表明:碱清洗中KOH与H2O2......
“微电子器件基础”课程教学的开展关乎微电子专业的人才培养和微电子技术的发展，该课程中蕴含着丰富的课程思政元素。n本文以微电......
针对模拟电路相对难学、晦涩难懂的问题,基于3D虚拟仿真技术设计了“PN结的微观世界”虚拟仿真实验教学软件。教学内容设计采用循......
采用标准的0.18μm CMOS工艺,设计了一种新型的应用于可见光通信系统的雪崩光电二极管(APD)。相较于传统的CMOS APD,该器件在深n阱......
半个世纪以来,硅基半导体芯片凭借其低成本、小型化及良好的稳定性和扩展性等优势一直主导着整个电子信息产业,电子时代也逐渐向以......
在密闭腔室,设计加热器和测温元件结构并充入气体后加热,腔室内可以形成稳定的热对流场.由于气体存在惯性,当外界有加速度作用时,......
柔性器件因其便携性、形状可变性、人体适用性等诸多优点,已成为国际前沿课题之一。研发柔性器件的关键在于柔性衬底的选择和pn结......
GaN作为第三代宽禁带半导体材料的代表,由于其禁带宽度大、临界击穿电场高、导热率高等优势,使其在功率半导体领域表现出巨大的潜......
氧化锌(ZnO)是一种宽禁带直接带隙氧化物半导体,室温下禁带宽度为3.37eV,由于本征缺陷存在而显n型。ZnO具有高室温激子结合能、高......
在n型太阳电池的制备过程中硼扩散是形成pn结的关键步骤,为解决硼扩散掺杂均匀性差以及硼硅玻璃腐蚀石英器件等问题,本文对BBr3液......
在低温中,半导体 pn 结的电容和温度之间有很密切的关系。利用这种特性,可以制成新型的电容温度计。这种电容温度计的特点之一是......
该项目是由机电部北京自动化所和辽宁省宽甸晶体管厂完成的国家“七五”重点科技攻关项目,于今年3月6日在北京通过部级鉴定。专家......
利用磁控溅射方法在n型Si衬底上制备了NiO:Na薄膜构成异质pn结,并研究了其光电特性。实验结果表明,当O2/Ar+O2比例从0%升高到30%时......
随着纳米技术的蓬勃发展,将纳米技术运用于太阳能电池的成为趋势,纳米线太阳能电池具有很高的实用潜能以及广阔的研究前景.本文通......
太阳能电池由于其清洁性、安全性、资源的充足性以及潜在的经济性越来越受到人类的重视,而随着纳米技术的蓬勃发展,将纳米技术运用......
本文通过实验阐明了硅材料 PN 结的温度—电压传感特性,并利用此特性进行了温度测量.为有关实验提供了一个精确、可靠的测温装置.
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一、高稳定度集成稳压电源设计XWY-8型集成稳压电源是一种具有极高稳定度的中规模线性集成电路。该电路是作者与袁贞丰同志合作设......
本文介绍一种新的高压硅pn结表面电场的测试方法,即激光探针法,对该测试法的装置与测试原理以及在研究高压pn硅结表面中的应用做了......
