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多晶硅薄膜的表面处理工艺

来源 :无机材料学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：ilbgsm

【摘 要】

：

采用NH3和N2O的等离子体分别对p-Si(多晶硅)薄膜表面进行了钝化处理,处理后的p-Si TFT(薄膜晶体管)具有比未处理TFT更优越的性能,通电试验与热应力试验后,处理后的器件呈现出

【作 者】

：

曾祥斌 徐重阳 饶瑞 JOHNNY K O Sin 

【机 构】

：

华中科技大学电子科学与技术系,香港科技大学电气与电子工程系

【出 处】

：

无机材料学报

【发表日期】

：

2001年4期

【关键词】

：

NH3 N2O 表面钝化 p-SiTFT 多晶硅薄膜 表面处理工艺 NH3 N2O surface passivation poly-Si TFT 

【基金项目】

：

与香港科技大学电气与电子工程系合作项目

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采用NH3和N2O的等离子体分别对p-Si(多晶硅)薄膜表面进行了钝化处理,处理后的p-Si TFT(薄膜晶体管)具有比未处理TFT更优越的性能,通电试验与热应力试验后,处理后的器件呈现出更好的承受电负荷和热应力能力,钝化的微观机理是NH3和N2O等离子体中和了p-Si薄膜的悬挂键,形成牢固的Si-N键,减少了表面态密度.

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