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喷气式Ｚ箍等离子体装置可以产生较强的软Ｘ射线，能量大约在２－６ｋｅＶ之间，利用此装置产生的软Ｘ射线，用ＣＳＭ作光刻胶，进行了Ｘ射线光刻的初步研究，得到了较为的光刻图形，曝光深度估计在１０μｍ左右。
利用喷气式Z箍缩等离子体装置进行X射线光刻
【摘 要】
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喷气式Ｚ箍等离子体装置可以产生较强的软Ｘ射线，能量大约在２－６ｋｅＶ之间，利用此装置产生的软Ｘ射线，用ＣＳＭ作光刻胶，进行了Ｘ射线光刻的初步研究，得到了较为的光刻图形，曝光深度估计在１０μｍ左右。
【机 构】
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清华大学电机工程系
【出 处】
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核聚变与等离子体物理
【发表日期】
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1998年1期
【基金项目】
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国家自然科学基金委员会
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