【摘 要】
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为了弥补常规粉末渗硅工艺的缺陷，探索施加直流电场加速粉末渗硅的可行性，在45钢和渗剂之间施加合适参数的直流电场，实现快速粉末渗硅，并分析了渗硅层显微组织、厚度及相组成。结
【机 构】
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常州大学江苏省表面技术重点实验室,常州轻工技术职业学院机械工程系
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为了弥补常规粉末渗硅工艺的缺陷，探索施加直流电场加速粉末渗硅的可行性，在45钢和渗剂之间施加合适参数的直流电场，实现快速粉末渗硅，并分析了渗硅层显微组织、厚度及相组成。结果表明：直流电场可显著提高渗速，使渗硅温度降低到750℃，渗硅时间缩短至2h；直流电场条件下获得的渗硅层主要为Fe5Si3相。
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