【摘 要】
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盆式绝缘子表面电荷积聚是影响直流气体绝缘输电管道(direct current gas insulated transmission line,DC-GIL)电场分布与沿面闪络的重要因素,因此探究绝缘子表面电荷积聚机理并提出调控方法,进而改善绝缘子沿面电场分布具有重要意义.该文搭建缩尺直流GIL绝缘子试验平台,研究不同SiC质量分数(23.1%、37.5%、47.4%)的非线性电导涂层对直流电压、金属微粒附着和极性反转工况下盆式绝缘子表面电荷分布与沿面闪络特性的影响规律.结果表明:环氧基Al2O3绝缘子的
【机 构】
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智能电网教育部重点试验室(天津大学电气自动化与信息工程学院),天津市南开区 300072;中国电力科学研究院有限公司,北京市海淀区 100192;工程电介质及其应用教育部重点试验室(哈尔滨理工大学),
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盆式绝缘子表面电荷积聚是影响直流气体绝缘输电管道(direct current gas insulated transmission line,DC-GIL)电场分布与沿面闪络的重要因素,因此探究绝缘子表面电荷积聚机理并提出调控方法,进而改善绝缘子沿面电场分布具有重要意义.该文搭建缩尺直流GIL绝缘子试验平台,研究不同SiC质量分数(23.1%、37.5%、47.4%)的非线性电导涂层对直流电压、金属微粒附着和极性反转工况下盆式绝缘子表面电荷分布与沿面闪络特性的影响规律.结果表明:环氧基Al2O3绝缘子的表面电荷极性取决于气固侧电流密度博弈结果,具有显著的场强依赖特性;非线性电导涂层可以自适应调控直流GIL绝缘子的表面电荷与沿面电场分布,显著提高不同工况下的沿面闪络电压.该文的研究结果为高可靠性直流GIL绝缘子的研发提供了一种潜在的解决方案.
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管道外放置式线圈的偏转会严重影响管道涡流检测的性能.基于管道外任意放置式线圈激励的管道涡流场的解析解,分析激励螺线管线圈放置角度变化对线圈相对阻抗增量的影响,得到激励线圈相对阻抗增量随水平旋转角和垂直仰角变化的规律.通过分析垂直仰角对激励线圈阻抗增量的影响,发现不同垂直仰角下线圈相对阻抗增量在一小范围内两两相交.这个小范围被定义为仰角交叉域,其中的交点被定义为仰角交叉点.在仰角交叉域内,线圈阻抗增量受线圈垂直仰角变化的影响很小,因此它可以被用于管道涡流检测.通过拟合垂直仰角0°和90°扫频曲线的虚部仰角交
目的:观察针刺、推拿联合康复训练治疗神经根型颈椎病的临床疗效.方法:选取90例神经根型颈椎病患者,按照不同治疗方法分为对照组和观察组,每组45例.对照组给予康复训练治疗,观察组给予针刺、推拿联合康复训练治疗,14d为1个疗程,疗程之间间隔2d,2组均治疗2个疗程.比较2组临床疗效及不良反应;比较2组治疗前后视觉模拟评分法(VAS)评分、Cobb角.结果:观察组总有效率为95.56%,高于对照组的77.78% (P< 0.05).治疗后,2组VAS评分均较治疗前降低(P<0.05),观察组VAS评分低于对照
目的:观察通络愈疡汤联合穴位贴敷、按摩干预消化性溃疡的临床疗效.方法:选取72例消化性溃疡患者,按照随机数字表法分成对照组与观察组各36例.对照组给予四联疗法治疗,并实施常规护理,观察组在对照组基础上给予通络愈疡汤治疗,以及穴位贴敷和穴位按摩护理,2组均干预28 d.比较2组临床疗效、幽门螺杆菌(Hp)清除率;比较2组干预前后中医证候积分、视觉模拟评分法(VAS)评分.结果:干预后,2组中医证候积分、VAS评分均较干预前降低(P<0.05),观察组中医证候积分、VAS评分均低于对照组(P<0.05).观察
为揭示XLPE直流电缆绝缘中电树枝生长与局部放电之间的相关性,该文基于针–板电极结构建立直流电树枝生长与局部放电实验,并通过油浴循环研究温度对直流电树生长与局部放电特性的影响.此外,借助电树枝放电的气–固两相电荷仿真模型,探讨空间电荷与温度对直流电树枝放电的影响机制,揭示直流电压下局部放电驱动的电树枝生长机理.研究表明,当直流电树枝发展至地电极附近时,会因在地电极附近形成的介质阻挡层而“转向”沿水平方向生长.同时,当电树枝沿电场方向生长时,放电强度会增大,而沿垂直电场即水平方向生长时,放电量保持稳定,甚至
目的:观察振动排痰联合益肺灸治疗慢性阻塞性肺疾病(COPD)稳定期的临床疗效.方法:选取92例COPD稳定期患者,根据随机数字表法分为对照组和观察组,每组46例.对照组遵医嘱进行常规治疗及护理,观察组在对照组基础上给予振动排痰联合益肺灸治疗,2组均治疗10d.比较2组临床疗效;比较2组治疗前后肺功能指标及生活质量.结果:观察组总有效率为95.65%,高于对照组的82.61% (P< 0.05).治疗后,2组第1秒用力呼气容积(FEV1)、用力肺活量(FVC)、FEV1/FVC均较治疗前升高(P<0.05)
提出一种4-SiC混合三电平有源中点钳位逆变器(three-level active neutral point clamped,3L-ANPC)及其损耗均衡调制策略,将硬开关损耗分配给不同SiC MOSFET,让通态损耗高的SiC MOSFET仅承受关断损耗,而通态损耗低的SiC MOSFET仅承受开通损耗;并提出将续流状态2条电流支路并联,降低续流状态的通态损耗.分析所提新4-SiC混合3L-ANPC的工作原理和模态,理论计算和对比传统4-SiC和所提4-SiC混合方案的损耗.最后,搭建一台2kW的单
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