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随着集成电路制造工艺的飞速发展,图形最小线宽(CD)越来越小。为了提高分辨率,在设备方面,光刻机一方面不断减小光源的波长,另一方面尽可能地增大透镜孔径的大小。但是这会极大的增加成本,而且同时也无法解决随着最小线宽的逐渐缩小,实际曝光时,由于光的衍射,投影到光刻胶涂层上的图形对比度和图形失真的问题。所以在六、七年前0.18μm技术节点时,OPC(Optical Proximity Correction)技术就被广泛应用到掩模版的制作,以得到在相同光刻条件下更高的分辨率和更逼真的图形。文章主要介绍在传统的OP