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本文通过对双极型器件缩小规则的讨论,总述了双极型器件纵向、横向尺寸缩小所引起的工艺发展,并着重介绍了隔离、多晶发射极和自对准这三方面工艺的演变,从而引出Si高速双极型器件的发展趋势。此外,本文还简述了Si异质结双极型器件的优点。
双极型器件制做工艺的发展综述
【摘 要】
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本文通过对双极型器件缩小规则的讨论,总述了双极型器件纵向、横向尺寸缩小所引起的工艺发展,并着重介绍了隔离、多晶发射极和自对准这三方面工艺的演变,从而引出Si高速双极
【机 构】
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中国科学院上海冶金研究所微电子学分部,中国科学院上海冶金研究所微电子学分部200233,200233
【出 处】
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半导体技术
【发表日期】
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1992年01期
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