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GaNHEMT作为第三代宽禁带化合物半导体器件，其高的击穿电压、大的电流密度等特点，使其非常适合十微波大功率开关的研制。南京电子器件研究所利用76．2mm（3英寸）SiC衬底GaNHEMT材料实现了C～6GHz20W、DC～12GHz15W和DC～20GHz8w宽带大功率系列开关的研制。
GaN宽带大功率MMIC开关
【摘 要】
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GaNHEMT作为第三代宽禁带化合物半导体器件，其高的击穿电压、大的电流密度等特点，使其非常适合十微波大功率开关的研制。南京电子器件研究所利用76．2mm（3英寸）SiC衬底GaNHEMT材料
【机 构】
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南京电子器件研究
【出 处】
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固体电子学研究与进展
【发表日期】
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2013年2期
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