【摘 要】
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介绍了一种16位高速D/A转换器的电路设计、工艺制作和测试结果.该电路为高性能数字/模拟混合电路,工作电压±5.0 V,转换速率≥30 MSPS,建立时间50 ns,增益误差±8% F
【机 构】
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模拟集成电路国家重点实验室,中国电子科技集团公司
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介绍了一种16位高速D/A转换器的电路设计、工艺制作和测试结果.该电路为高性能数字/模拟混合电路,工作电压±5.0 V,转换速率≥30 MSPS,建立时间50 ns,增益误差±8% FSR,积分非线性误差LSB,并行输入类型,电流工作模式,功耗500 mW,采用2.0 μm BiCMOS工艺制作.该工艺包括减压薄外延、高压氧化等平面隔离、可修调SiCr电阻、双层金属布线、12次离子注入、21次光刻.NPN晶体管特征频率fT为4.0 GHz;CMOS管的栅氧化层为30 nm,耐压为12.
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