SF6/O2气氛下Al对反应离子刻蚀Si的增强作用机理研究

来源 :微细加工技术 | 被引量 : 0次 | 上传用户：hutao95

【摘要】

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通过实验和统计分析方法研究了Al在SF6/O2气体干法刻蚀Si中的增强作用机理.研究表明,Al在SF6/O2刻蚀Si中具有增强作用,而且Al的增强作用基本独立,受其它刻蚀条件的影响较小.A

【作者】

：

程正喜郭育林周嘉

【机构】

：

复旦大学

【出处】

：

微细加工技术

【发表日期】

：

2007年1期

【关键词】

：

反应离子刻蚀 AL SF6/O2 催化作用 reactive ion etching(RIE) Al SF6/O2 catalytic action

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通过实验和统计分析方法研究了Al在SF6/O2气体干法刻蚀Si中的增强作用机理.研究表明,Al在SF6/O2刻蚀Si中具有增强作用,而且Al的增强作用基本独立,受其它刻蚀条件的影响较小.Al对Si刻蚀速率的增强作用并非都是由于衬底温度升高所致,而是Al表面形成的AlF单原子层起到了催化作用,使SF6分解出更多的F自由基,从而提高了Si的刻蚀速率.

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