Si（111）湿法腐蚀后表面形态的FTIR研究

来源 :固体电子学研究与进展 | 被引量 : 0次 | 上传用户：yaoye_1108

【摘要】

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运用偏振衰减全反射傅立叶变换红外光谱技术(ATR-FTIR),研究了Si(111)在不同比例的NH4F-HCl溶液中腐蚀后的表面形态.通过分析表面振动模型的偏振波长及红外粗糙因子,表明在较

【作者】

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李静吴孙桃叶建辉 S.F.YLi

【机构】

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厦门大学萨本栋微机电研究中心,厦门大学萨本栋微机电研究中心,新加坡国立大学材料与工程研究所,新加坡国立大学化学系

【出处】

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固体电子学研究与进展

【发表日期】

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2003年2期

【关键词】

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扫描隧道显微镜湿法腐蚀表面形态 FTIR 偏振衰减全反射傅立叶变换红外光谱技术硅片表面 111晶面 FTIR Si(111)surface STM

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运用偏振衰减全反射傅立叶变换红外光谱技术(ATR-FTIR),研究了Si(111)在不同比例的NH4F-HCl溶液中腐蚀后的表面形态.通过分析表面振动模型的偏振波长及红外粗糙因子,表明在较低的PH 值的NH4F-HCl溶液中腐蚀的Si(111)表面粗糙度较大,与通过扫描隧道显微镜(STM)技术测量的结果基本一致.

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