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采用新型调制掺杂量子阱基区结构和掩埋金属自对准工艺方法,在器件的纵向结构和制备手段上同时进行改进,使超薄基区小尺寸SiGe HBT的基区横向电阻和接触电阻分别降低42%和55%以上,有效解决了基区串联电阻的问题.
采用新结构与新工艺降低SiGe HBT基区串联电阻
【摘 要】
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采用新型调制掺杂量子阱基区结构和掩埋金属自对准工艺方法,在器件的纵向结构和制备手段上同时进行改进,使超薄基区小尺寸SiGe HBT的基区横向电阻和接触电阻分别降低42%和55%
【机 构】
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北京工业大学电子信息与控制工程学院
【出 处】
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固体电子学研究与进展
【发表日期】
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2005年2期
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