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分析了6H—SiC肖特基源漏MOSFET的电流输运机制，并建立了数值一解析模型．模型正确地计入了隧道电流和势垒降低的影响，能准确反映器件的特性．模拟结果显示，源极肖特基的势垒高度是影响器件特性的主要因素，随着温度升高，器件的特性将变得更好。
6H—SiC肖特基源漏n沟MOSFET的数值一解析模型
【摘 要】
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分析了6H—SiC肖特基源漏MOSFET的电流输运机制，并建立了数值一解析模型．模型正确地计入了隧道电流和势垒降低的影响，能准确反映器件的特性．模拟结果显示，源极肖特基的势垒高度是
【机 构】
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西安电子科技大学微电子研究所
【出 处】
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半导体学报
【发表日期】
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2004年9期
【基金项目】
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国家自然科学基金 (批准号 :60 2 760 47),,砷化镓高速集成电路和微波功率器件重点实验室基金 (编号 :5 14 3 2 0 5 0 10 1DZ0 1)资助项目~~
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