【摘 要】
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利用有限差分法求解半导体器件基本方程，研究了表面悬键、杂质和缺陷对晶硅电池输出参数的影响。研究表明：当晶硅电池无体内缺陷和表面缺陷或当仅存在表面悬键、杂质和缺陷，且三
【基金项目】
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国家自然科学基金资助(No.61575029,No.11304020),辽宁省教育厅一般项目(No.L2012401)
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利用有限差分法求解半导体器件基本方程，研究了表面悬键、杂质和缺陷对晶硅电池输出参数的影响。研究表明：当晶硅电池无体内缺陷和表面缺陷或当仅存在表面悬键、杂质和缺陷，且三者起施主型和受主型陷阱作用时，正向偏压下的晶硅电池暗I-V特性曲线与理想二极管I-V特性曲线相同，但当正向偏压大于PN开启电压0.59V，晶硅电池暗I-V特性曲线将偏离理想二极管I-V特性曲线，且偏离程度随表面悬键、杂质和缺陷浓度的增加而增大；当表面悬键、杂质和缺陷起复合中心作用时，晶硅电池暗I-V特性曲线将偏离理想二极管I-V特性曲线；就对
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