暗I-V特性曲线相关论文
暗I-V特性曲线是一种有效监测晶硅电池内部杂质和缺陷性质的表征手段.本文利用有限差分法较系统地研究了杂质和缺陷性质对暗I-V特......
采用有限差分法等方法研究了晶硅材料体内不同类型缺陷对晶硅电池暗I-V特性的影响。研究表明：晶硅电池暗I-V特性的自然对数曲线可分......
利用有限差分法求解半导体器件基本方程，研究了表面悬键、杂质和缺陷对晶硅电池输出参数的影响。研究表明：当晶硅电池无体内缺陷和表......
以Ga As/Ge太阳电池为例使用PC1D太阳电池模拟程序分析P-N结太阳电池的串联电阻、并联电阻、反向饱和电流和品质因子对其暗I-V特性......
