论文部分内容阅读
引言用气相法生长 ZnSe 晶体,通常把装有多晶物料的安瓿放在具存特定温度分布的立式炉内,安瓿底部的物料处在高温区,尖端处在温度梯度区。这样,Znse 分子便由高温区输运,并在安瓿顶端淀积下来长成晶体(图1)。用此法生长晶体,一般还要以一个适当的速度连续地提拉安瓿向上运动。本文论述了提拉对晶体生长速度的影响,指出了