【摘 要】
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东芝计划在这个月或者下个月开始批量生产65 nm高性能器件,接下来在明年生产65 nm的低功耗器件,然后将在2007年初开始45 nm器件的生产。东芝希望在45 nm时采用ArF浸没式光刻
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东芝计划在这个月或者下个月开始批量生产65 nm高性能器件,接下来在明年生产65 nm的低功耗器件,然后将在2007年初开始45 nm器件的生产。东芝希望在45 nm时采用ArF浸没式光刻技术,可能会以某种方式将其延
Toshiba plans to start mass production of 65-nm high-performance devices this month or next, followed by 65-nm low-power devices next year and 45-nm devices by the beginning of 2007. Toshiba hopes to use ArF immersion lithography at 45 nm, which may somehow extend its use
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