掺铟LiNbO3晶体抗光折变效应增强机理的研究

来源 :高技术通讯 | 被引量 : 0次 | 上传用户：jedy2008

【摘要】

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在LiNbO3中掺进不同浓度的抗光折变杂质离子In3+,生长In(2mol%):LiNbO3和In(3mol%):LiNbO3晶体.研究In:LiNbO3晶体的结构和In3+离子在LiNbO3晶体中的占位,利用光斑变形法和全

【作者】

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石连升吉泽升王彪

【机构】

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哈尔滨理工大学现代成型技术研究所

【出处】

：

高技术通讯

【发表日期】

：

2001年9期

【关键词】

：

In:LiNbO3晶体抗光折变能力光斑变形法全息法增强机理铌酸锂晶体铟掺杂 In: LiNbO3 crystals Photodamage res

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在LiNbO3中掺进不同浓度的抗光折变杂质离子In3+,生长In(2mol%):LiNbO3和In(3mol%):LiNbO3晶体.研究In:LiNbO3晶体的结构和In3+离子在LiNbO3晶体中的占位,利用光斑变形法和全息法测试了In:LiNbO3晶体的抗光折变性能,分析了In3+使LiNbO3晶体抗光折变效应增强的机理.

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