【摘 要】
：
非晶铟钨氧（a-IWO）薄膜晶体管（TFT）具有高迁移率和高稳定性的优点,但其适合于实际生产的制备工艺条件尚有待摸索。本文研究了退火温度对a-IWO TFT电学特性影响的基本规律和内部机
论文部分内容阅读
非晶铟钨氧（a-IWO）薄膜晶体管（TFT）具有高迁移率和高稳定性的优点,但其适合于实际生产的制备工艺条件尚有待摸索。本文研究了退火温度对a-IWO TFT电学特性影响的基本规律和内部机理。实验结果表明,随着退火温度的升高,a-IWO TFT的场效应迁移率也相应增加,这是由于高温退火下a-IWO薄膜中氧空位含量增多并进而导致载流子浓度增加的缘故。此外,a-IWO TFT的亚阈值摆幅和阈值电压在200℃下退火达到最佳,我们认为主要原因在于此时a-IWO薄膜的表面粗糙度最小并形成了最佳的前沟道界面状态。
其他文献
比表面积和孔隙结构是页岩的两个重要特性。比表面积对于岩石基质的吸附特型和膨胀性能具有重要的影响。现有的比表面积测量方法在测定页岩比表面积时,由于页岩含有大量微纳
为了了解基于光纤受激布里渊散射快光传输系统的一些外在因素对受激布里渊散射快光传输的影响,对该传输过程进行了研究。首先,根据受激布里渊散射过程的“三波耦合方程”进行
为了研究富含砖粒再生混凝土的抗剪性能,制备了4组不同配合比的富含砖粒再生混凝土试件,以28 d立方体抗压强度值为变化因素,在分析立方体抗压强度对抗剪强度影响的基础上,研
通过传输矩阵法,理论研究了损耗型单负材料双层结构在不同入射角时的反射率和偏振度。结果表明,损耗型单负材料双层结构不同于常规介电材料,随着入射角的增大,p分量反射率比s
利用固相微萃取方法(SPME)提取红糖中的挥发性香气成分,从样品浓度、样品添加量、NaCl添加量、萃取温度和萃取时间5个方面进行优化,确定最终的萃取参数为:样品浓度60%,样品添
采用燃烧法合成Ca_(12-x)Al_(14)O_(32)F_2∶xEu荧光粉,对样品进行了X射线粉末衍射(XRD)、X射线光电子能谱(XPS)、扫描电镜(SEM)以及光致发光光谱等表征,探讨了燃烧温度、氟化铵、尿素、硼酸以及铕浓度等合成条件对荧光性能的影响。研究结果表明,利用燃烧法可以合成Eu~(3+)-Eu~(2+)共存、发光可调的荧光粉。通过改变合成条件,改变Eu~(2+)和Eu~(3+)的
采用原子层淀积（ALD）方法,制备了Al2O3为栅介质的高性能AlG aN/GaN金属氧化物半导体高电子迁移率晶体管（MOS-HEMT）。在栅压为-20 V时,MOS-HEMT的栅漏电比Schottky-gate HEMT的栅
采用直流电弧放电方法,在无催化剂的条件下直接氮化Al合成纤锌矿结构的AlN微晶棒。分别利用拉曼光谱仪（Raman）、扫描电子显微镜（SEM）和光致发光（PL）谱等测试手段对所制备样品进行表
文章以生姜为原料,首次采用海藻酸钠和明胶包埋Fe3O4以得到凝胶微球载体,利用Box-Behnken响应面分析法对磁性复合载体固定化生姜蛋白酶的工艺进行优化。在单因素试验结果的基
为了研究不同量子阱周期数下GaInAs/GaAsP多量子阱太阳能电池性能的变化规律,利用金属有机化学气相沉积技术（MOCVD）制备了不同周期数的双结多量子阱太阳能电池样品以及无量子阱