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运用带隙基准的原理，采用0．5μm的CMOS（Complementary Metal—Oxide Semiconductor）工艺，设计了一个新型结构的高性能CMOS带隙基准电压源．HSPICE仿真结果表明：电源电压‰最低可达1．9V，在温度-30～125℃范围内，电源电压VDD在1．9～5．5V的条件下，输出基准电压VREF=（1．225±0．0015）V，温度系数为γTC=14．75×10^-6／℃，直流电源电压抑制比（PsRR）等于50dB．在温度为25℃且电源电压为3V的情况下