不同辐射剂量率下CMOS器件的电离辐射性能

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对加固 C M O S 器件在两种辐射剂量率下进行辐照实验,研究了 M O S F E T 阈值电压及 C M O S倒相器转换电压 Vtr、开门电压 Vih 、关门电压 Vil等参数随辐射剂量及辐射剂量率的变化关系规律.对实验结果进行了分析讨论 The radiation experiments of the reinforced C M O S device under two radiation dose rates were studied. The threshold voltage of M 0 S F E T and the switching voltage Vtr of the C M O S inverter, the open voltage Vih, the closing voltage Vil and other parameters With the radiation dose and radiation dose rate changes in the law. The experimental results were analyzed and discussed
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