论文部分内容阅读
采用Ti／Ni／Au多层金属在高掺杂n型4H—SiC外延层上制作了欧姆接触测试图形，通过传输线法（Transmission Line Method，TLM）测量得到的最小比接触电阻为1．4×10^-5Ω·cm^2．经500℃N2老化后接触电阻大约有一个数量级的增加并保持稳定。
SiC上Ti／Ni／Au多层金属的欧姆接触特性
【摘 要】
：
采用Ti／Ni／Au多层金属在高掺杂n型4H—SiC外延层上制作了欧姆接触测试图形，通过传输线法（Transmission Line Method，TLM）测量得到的最小比接触电阻为1．4×10^-5Ω·cm^2．经50
【机 构】
：
西安电子科技大学宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室
【出 处】
：
功能材料与器件学报
【发表日期】
：
2006年6期
其他文献
二十一世纪是知识经济的世纪，在知识经济的发展过程中，生产核心要素不是土地，也不是资本，而是知识。如果不对作为知识载体的人力资源进行确认，计量与报告，那么会计信息系统提供的信
2014年2月18日，利用在北京参加2014年全国疾病预防控制与爱国卫生工作会议的契机，自治区卫生和计划生育委员会副主任施小明率领区卫计委机关和自治区疾病预防控制中心有关同志，
胶质瘤是中枢神经系统中最常见的恶性肿瘤,全基因组分子图谱已揭示不同类型胶质瘤的遗传学和表观分子生物学特征.2016年世界卫生组织在经典的组织病理学诊断基础上,将分子标
对柠檬酸系、盐酸系溶液腐蚀GaAs/InGaP异质结构材料体系时出现的腐蚀不均匀现象进行了实验研究,采用原子力显微镜（AFM）、电子显微镜、台阶仪等分析了不同腐蚀条件下GaAs/InGaP
目的探讨诱导痰中各种细胞因子与支气管哮喘严重程度和气道反应性的关系,为临床诊治提供科学依据。方法支气管哮喘患者130例,按照哮喘控制测试（ACT）评分分为3组,完全控制组24例