INGAP相关论文
本文给出了带有Ｉｎ０．４９Ｇａ０．５１ｉ包层的ＩｎＧａＡｓ－ＧａＡｓ应变量子阱激光器实验结果。镀有ＡＲ－ＨＲ膜、并有ｐ－ｎＩｎＧａＰ电流阻挡结的掩埋异质结激光器，在连续波（ＣＷ）和室温（ＲＴ）下，给出３．１ｍＡ的低阈值电流和......
目的应用INGAP多肽在体外建立新的分步诱导分化体系诱导胰岛新生。方法分离纯化SD大鼠的胰腺导管干细胞。并体外扩增培养,取2～6代细......
为探究吕家坨井田地质构造格局,根据钻孔勘探资料,采用分形理论和趋势面分析方法,研究了井田7......
采用涡轮LP MOCVD外延技术 ,在特别改进GaAlInP材料生长的基础上生长 2 0对InGaP/GaAlInP多量子阱结构的红光发光二极管 (LED)。外......
基于2μm InGaP/GaAs HBT工艺技术,提出了一种3.4～3.6GHz功率放大器芯片电路的设计.功率放大器采用三级级联放大电路结构,其输出匹......
通过采用发射极一基极金属自对准、发射极镇流电阻，电镀空气桥等工艺改善了器件的高频特性，提高了器件热稳定性与功率特性。当器件工......
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报道了气态源分子束外延(GSMBE)技术生长的Φ50 mm,Φ75 mm InGaP/GaAs材料的晶体完整性,组分均匀性和表面缺陷密度.用Philips X-P......
对柠檬酸系、盐酸系溶液腐蚀GaAs/InGaP异质结构材料体系时出现的腐蚀不均匀现象进行了实验研究,采用原子力显微镜（AFM）、电子显微镜......
采用InGaP／GaAs HBTs设计并实现了传输速率为10Gbps的跨阻放大器．在电路设计上采用两级放大器级联的形式以提高跨阻增益，在第一级采用......
介绍L波段、低偏置电压下工作的自对准InGaP／GaAs功率异质结双极晶体管的研制．在晶体管制作过程中采用了发射极一基极金属自对准、空......
研究了高速射频集成电路(RFIC)中InGaP异质结双极晶体管(HBT)器件的特性。测试了单指发射极和双指发射极两种结构器件的大信号DCI-......
基于WIN InGaP/GaAs HBT工艺，设计了一款应用于LTE移动终端的射频功率放大器。该功放工作在AB类偏置状态，由三级放大电路级联构成，并......
本文建立了采用分子束外延法制备InGaP/GaAs异质结构的热力学模型,其中考虑了两个重要的因素,由晶格失配引起的内在应力和InP的脱......
我们利用气态源分子束外延设备在不同In组分的InGaP或InAlP虚衬底上生长Ge薄膜,并比较不同虚衬底上Ge薄膜的材料性质。利用拉曼光......
