【摘 要】
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基于0.18μm SiGe BiCMOS工艺,实现了一个8~14 GHz的宽带功率放大器芯片.通过采用增益分布技术有效地拓展了放大器的工作带宽而又不会显著恶化增益;利用基于变压器的功率合成
【机 构】
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南京电子器件研究所,杭州电子科技大学射频电路与系统教育部重点实验室
【基金项目】
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毫米波国家重点实验室基金(K202019)
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基于0.18μm SiGe BiCMOS工艺,实现了一个8~14 GHz的宽带功率放大器芯片.通过采用增益分布技术有效地拓展了放大器的工作带宽而又不会显著恶化增益;利用基于变压器的功率合成技术,显著地提高了放大器的输出功率.测试结果表明,放大器获得了27 dB的峰值增益,6 GHz的3dB带宽,其中带宽比为54.5%.在3dB范围内,放大器获得了17.5~20.5 dBm的饱和输出功率,以及12~18%的附加效率.包含压焊盘在内的芯片约为1.0 mm 2.
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