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以s=1/2的层状Ising模型为基础,建立一个描述层间反铁磁耦合的有限层磁性薄膜的统计模型.应用变分累积展开(VCE)方法的一阶近似,导出了系统自发磁化强度、序参量、临界温度、磁化率的表达式,及其随层数L的变化关系.讨论了有外场存在时,系统对外磁场的响应,并且作了数值计算.
层间反铁磁耦合磁性多层膜结构的统计模型
【摘 要】
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以s=1/2的层状Ising模型为基础,建立一个描述层间反铁磁耦合的有限层磁性薄膜的统计模型.应用变分累积展开(VCE)方法的一阶近似,导出了系统自发磁化强度、序参量、临界温度、
【机 构】
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首都师范大学物理系,重庆工业职业技术学院
【出 处】
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首都师范大学学报(自然科学版)
【发表日期】
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2005年1期
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