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介绍了一种LiNbO3抽头延迟线外接P^＋n二极管阵列结构的声表面波存储相关卷积器。器件的中心频率为30MHz，卷积效率为-54dBm，存储相关效率为-76dBm，信号存储时间大于70ms。讨论了二极管阵列少子寿命与存储时间的关系，计算了相关输出与参考信号和读信号的关系，结果表明这种结构的器件是双线性的。对这种结构器件的设计及优化提出了建议。