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对不同单晶硅片中的替位碳含量进行了常温／低温（〈15K）红外光谱测试。通过对比研究发现，在所有实验样品中，除一个碳含量高的样品相对偏差较大以外，其余样品的相对偏差都很小，均在±0．06ppma以内。实验证明低温（〈15K）红外光谱可以替代常温红外光谱完成杂质碳含量的检测．低温红外光谱的一次扫描即可同时完成碳、硼、磷杂质的含量检测．本文为多晶硅生产中的杂质含量分析提供了一种快速、高效的检测模式，避免了设备的重复和资源的浪费.