【摘 要】
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以p型硅和茈四甲酸二酐(perylene-3,4,9,10-tetracarboxylic acid dianhydride,PTCDA)为异质结,梳状金(Au)薄膜作为顶电极和光入射窗口制备了光敏二极管.研究表明,PTCDA的厚
【机 构】
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兰州大学物理学院微电子研究所,兰州大学物理学院微电子研究所
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以p型硅和茈四甲酸二酐(perylene-3,4,9,10-tetracarboxylic acid dianhydride,PTCDA)为异质结,梳状金(Au)薄膜作为顶电极和光入射窗口制备了光敏二极管.研究表明,PTCDA的厚度和Au电极的厚度对光敏二极管的光响应度有很大的影响.对比不同PTCDA厚度的器件性能,在PTCDA厚度为100 nm时,光响应度最高达到0.3 A/W.进而采用最优化的100 nm厚的PTCDA薄膜制备硅基光敏二极管,对比不同Au电极厚度的器件性能.在Au厚度为20 nm时,器
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