Fairchild推出80 V MOSFET器件

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飞兆半导体(Fairchild)日前宣布推出采用SO-8封装的80 VN沟道MOS- FET器件FDS3572,能同时为DC/DC转换器的初级和次级同步整流开关电源设计提供优异的整体系统效率。FDS3572提供7.5 nC Miller电荷(Qgd),比相 Fairchild today announced the FDS3572, an 80-V MOS channel FET device in an SO-8 package that offers excellent overall system efficiency for both primary and secondary synchronous rectifier switching power supply designs for DC / DC converters. FDS3572 provides 7.5 nC Miller charge (Qgd), phase contrast
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